一：石英坩堝的歷史和現(xiàn)狀
　　1.早期石英坩堝
　　早期的石英坩堝是全部透明的，佑鑫石英最早期的石英坩堝是全部的透明的結構，這種透明的結構卻容易引起導致不均勻的熱傳輸條件，增加晶棒生長的困難度。所以這種坩堝基本被淘汰使用。
　　2.現(xiàn)代的石英坩堝
　　現(xiàn)代拉單晶的石英坩堝一般是采用電弧法生產(chǎn)，半透明狀，是拉制大直徑單晶硅，發(fā)展大規(guī)模集成電路必不可少的基礎材料
　　現(xiàn)代的石英坩堝則存在二種結構，外側是一層具有高氣泡密度的區(qū)域，佑鑫石英稱為氣泡復合層，內(nèi)側則是一層3~5mm的透明層，稱之為氣泡空乏層。氣泡復合層的目的是在與均勻的輻射有加熱器所提供的輻射熱源。氣泡空乏層的目的在于降低與溶液接觸區(qū)域的氣泡密度，而改善單晶生長的成功率及晶棒品質(zhì)。
　　二：國內(nèi)石英坩堝的情況分析
　　國內(nèi)石英坩堝廠家有：錦州圣戈班、荊州菲利華、揚州華爾、寧波寶斯達、余姚通達、杭州大和等。
　　錦州圣戈班、荊州菲利華、揚州華爾,他們的工藝采用真空熔融法，外幾家采用的是涂層法，即在坩堝內(nèi)壁用精細石英砂噴涂到坩堝表面大約1~2mm左右。涂的不均勻，這就會造成在單晶生長過程中內(nèi)壁脫落導致單晶生長失敗。
　　寧波寶斯達有一種涂鋇鍋，可應用到太陽能單晶用坩堝上。佑鑫石英涂鋇工藝也可用人工進行，但是人工涂鋇的缺點在于在涂鋇的同時引進多余的雜質(zhì)且人工噴涂不均勻，使得在開始拉晶的時候由于雜質(zhì)過多或者單晶生長過程中內(nèi)壁脫落，造成放肩時斷線，需提雜后才能進行繼續(xù)拉晶。
　　注：涂鋇工藝的原理：
　　這是因為鋇在硅中的平衡偏析系數(shù)非常小，使得他在硅晶棒中的濃度小于2.5x10（-9）/cm3，因而不會影響到晶棒的品質(zhì)。通常的做法是將石英坩堝壁涂上一層含有結晶水的氫氧化鋇（Ba(OH)2.8H2O）（飽和的氫氧化鋇水溶液）。這層氫氧化鋇會與空氣中的二氧化碳反應形成碳酸鋇。而當這種石英坩堝在單晶爐上被加熱時，碳酸鋇會分解形成氧化鋇，隨著氧化鋇與石英坩堝反應形成硅酸鋇（BaSiO3）。由于硅酸鋇的存在，使得石英坩堝壁上形成一層致密微小的方石英結晶。這種微小的方石英結晶很難被溶液滲入而剝落，即使剝落也很快被溶液溶解掉，，因此可以大幅度的改善石英坩堝的使用壽命及長晶良率。另外在石英坩堝外壁形成一層方石英結晶的好處，是它可以增加石英坩堝的強度，減少高溫軟化現(xiàn)象。